Il presente documento è stato redatto nell’ambito del progetto “Ricerche su Reti Attive, Generazione Distribuita e Sistemi di Accumulo – Generazione distribuita e sistemi di accumulo” definito nell’Accordo Triennale tra il Ministero dello Sviluppo Economico e E.R.S.E. S.p.A. firmato il 29 Luglio 2009. Il rapporto descrive le attività sperimentali svolte da ERSE nel fotovoltaico durante il 2009, riguardanti un impianto con moduli innovativi, installato a Milano nel mese di Maggio e un analogo impianto installato a Catania nel mese di Dicembre. Il capitolo 1 descrive, sulla base dei dati di funzionamento acquisiti nel periodo giugno 2009 – gennaio 2010, il comportamento dell’impianto fotovoltaico realizzato a Milano, composto da 6 sezioni, ciascuna delle quali è caratterizzata da una diversa tipologia di moduli. Sono quindi commentati i primi risultati del programma di monitoraggio di tale impianto. Il capitolo 2 riguarda la realizzazione presso il sito di Catania dell’impianto replica di quello già realizzato a Milano e la cui entrata in funzione a fine 2009 ha permesso soltanto di acquisire informazioni molto preliminari sul funzionamento dell’impianto stesso. I dati di funzionamento sono da considerarsi ancora preliminari poiché non coprono un intero anno, ed il confronto fra i dati dell’impianto installato a Catania e l’impianto installato a Milano ancora prematuro poiché i due impianti hanno funzionato in modo contemporaneo al momento per un solo mese. Al momento, tutte le sezioni installate nell’impianto di Milano hanno evidenziato un buon comportamento assoluto in termini di efficienza, con perfomance ratio superiori al 75%, eccezion fatta per la sezione basata su moduli in CIS (caratterizzati da evidenti problemi di efficienza in presenza di basso irraggiamento). In termini relativi, le prestazioni dei moduli in silicio cristallino appaiono al momento leggermente superiori. L’impianto installato a Catania, al momento, conferma quanto evidenziato: i moduli in CIS appaiono già poco performanti, e la prestazione dei moduli in CdTe è leggermente inferiore a quella dei moduli in silicio cristallino. La prestazione dei moduli in amorfo, invece, non è significativa poiché la potenza dei moduli non è ancora stabilizzata.