Si basa sul metodo a matrice di diffusione (SMM) e su una funzione di generazione semplificata che permette di descrivere con buona precisione la propagazione delle onde elettromagnetiche nel dispositivo della cella solare, preservando, allo stesso tempo, la possibilità di ottenere semplici soluzioni analitiche delle equazioni di continuità. La stabilità numerica del nuovo approccio teorico è dimostrata prima su celle solari a tripla giunzione InGaP/InGaAs/Ge, in cui il substrato Ge è considerato come l’ultimo strato (strato N) e poi come strato N-1. Inoltre, il nuovo approccio teorico viene applicato per simulare le prestazioni di celle solari sottili InGaP/InGaAs/SiGeSn/Ge a quadrupla giunzione (QJ), a due (2T) o a tre terminali (3T). Per tali dispositivi, sono stati calcolati valori di efficienza rispettivamente del 45,1% e del 44,9%, a concentrazioni di 1000 X, e considerando la cella a MJ limitata dalla sottocella InGaAs. Infine, si stima che la cella solare QJ InGaP/InGaAs/SiGeSn/Ge ha il potenziale per raggiungere efficienze superiori al 50% assumendo adeguati rivestimenti antiriflesso.