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pubblicazioni - Memoria

Q Dot Oriented Multi-Junction Model

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Q Dot Oriented Multi-Junction Model

Questo modello offre una simulazione di comportamento di cella PV multi-giunzione con l’inserimento di Qdot nella cella: l’inclusione di questi “atomi artificiali” può creare stati “subgap”; viene riportato un esempio.

This model offers simulation of multi-junction PV cell behavior by incorporation of Qdots in the cell; the inclusion of these “artificial atoms” can create sub gap states; an example is reported.

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