Abbiamo depositato strutture basate su Ge, SiGe, SiGeSn, AlAs, GaAs, InGaP e InGaAs nella stessa camera di crescita MOVPE, al fine di studiare l’effetto dell’influenza reciproca degli elementi dei gruppi IV e III-V sulla velcità di crescita, il drogaggio di background e la morfologia. Si dimostra che adottando un design innovativo della camera di crescita MOVPE e adeguate,condizioni di crescita può essere eliminata la riduzione della velocità di crescita degli elementi IV dovuta all’effetto “carry over” di As e può essere drasticamente ridotto il livello di drogaggio di fondo in entrambi i semiconduttori IV e III-V. Nell’intervallo di temperatura 748 K – 888 K, le morfologie del Ge e del SiGe non degradano quando i semiconduttori vengono depositati in una camera di crescita MOVPE contaminata da III-V. Sono stati invece identificati aspetti morfologici critici per SiGeSn e III-Vs, quando la deposizione di MOVPE avviene, rispettivamente, in una camera di crescita MOVPE contaminata da As o Sn. Le morfologie III-Vs sono influenzate dal tipo e dall’orientamento del substrato. I risultati sono promettenti in vista dell’integrazione monolitica degli elementi del gruppo IV con i composti III-V nelle celle solari multigiunzione